Российские учёные разработали установку для получения полупроводников
Специалисты Томского института сильноточной электроники СО РАН разработали уникальную установку, которая позволяет получать полупроводники и металлические материалы с качественно новыми свойствами для микроэлектроники. Установка создана для Польского ядерного центра.
У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две возможности – имплантации материалов многозарядными ионами и исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для получения полупроводниковых и металлических материалов с качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в области микроэлектроники и приборостроения.
Профессор Национального центра ядерных исследований Польши Збигнев Вернер отметил, что польская сторона уже имела успешный опыт сотрудничества с томскими коллегами.
Хочешь всегда знать и никогда не пропускать лучшие новости о развитии России? У проекта «Сделано у нас» есть Телеграм-канал @sdelanounas_ru. Подпишись, и у тебя всегда будет повод для гордости за Россию.
12.06.1400:04:16
12.06.1400:08:27
12.06.1404:12:23
12.06.1408:58:58
12.06.1415:03:21
12.06.1418:40:58
10.03.1520:06:16