«Росэлектроника» приступила к работе над созданием композитных материалов с новыми свойствами

 © ruselectronics.ru

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех приступил к исследованиям метода молекулярного наслаивания для синтеза нового поколения композитов. Технологический процесс может применяться при создании материалов для машиностроения, энергетики, оптики, медицины и электроники. С его помощью можно упрочнить поверхность деталей, устройств и защитить элементы от коррозии, царапин, истирания, а драгоценные металлы — от старения.

Метод молекулярного наслаивания заключается в том, что на основу наносится равномерный слой толщиной в тысячи раз тоньше волоса, который соединяется с ней прочной химической связью. Технология позволяет чередовать различные химические соединения в слоях и обеспечивает их равномерное нанесение с точностью до 1 ангстрема (0,0001 мкм).

Применение молекулярного наслаивания в промышленности позволяет повысить долговечность изделий. Так, например, сталь, покрытая нанопленкой, выдерживает более 600 часов на тестах для определения коррозионной стойкости с использованием солевого распыления. В то же время необработанный металл начинал ржаветь уже через два часа. Такие свойства материала могут оказаться полезными при производстве авиа- и автодеталей, а также при изготовлении медицинских инструментов и оборудования.

Первые опыты с применением новой технологии начнутся с наслаивания ферритов (гексаферрита бария и феррограната иттрия) для сверхвысокочувствительных устройств — резонаторов и вентилей миллиметрового диапазона частот.

«Исследование молекулярного напыления направлено на создание композитных материалов нового поколения с уникальными свойствами. Такие композиты позволят создавать оборудование и устройства с новыми качественными характеристиками. Они найдут применение практически во всех отраслях промышленности — от машиностроения до микроэлектроники», — сказал Исполнительный директор Госкорпорации Ростех Олег Евтушенко.

Входящий в «Росэлектронику» НИИ «Феррит-Домен» заключил соглашение о научно-техническом сотрудничестве с Всероссийским инжиниринговым центром технологии молекулярного наслаивания (ИЦТМН) на базе Санкт-Петербургского государственного технологического института. Для проведения исследований предприятие получит установку для молекулярного наслаивания от производителя оборудования — Инжинирингового центра молекулярного наслаивания (ИЦМН), с которым также заключено соответствующее соглашение.

«Для НИИ „Феррит-Домен“ заключенные соглашения станут стартом большой работы, которая определит перспективы развития новой технологии в микроэлектронике и других высокотехнологичных отраслях на долгие годы вперед. Мы намерены стать одним из центров компетенций по молекулярному наслаиванию. Уже сейчас институт ведет активную работу по консолидации научно-технических сил с коллегами из Первого всероссийского инжинирингового центра технологии молекулярного наслаивания Технологического института и Инжинирингового центра молекулярного наслаивания. На специальные стипендии предприятия мы привлечем перспективных студентов для построения прочной кадровой системы, которая обеспечит настоящее и будущее развитие нового направления», — заявил генеральный директор НИИ «Феррит-Домен» Максим Каваев.

«Метод молекулярного наслаивания в настоящее время является одним из наиболее динамично развивающихся направлений в мире в области нанотехнологий и наноматериалов. В первую очередь — в электронике и смежных отраслях. С учетом востребованности данной технологии, не вызывает сомнений необходимость ее коммерциализации в России, на что и направлена деятельность нашего Инжинирингового центра» — сообщил руководитель Первого всероссийского инжинирингового центра технологии молекулярного наслаивания, заведующий кафедрой химической нанотехнологии и материалов электронной техники СПбГТИ(ТУ), д.х.н, Анатолий Малыгин.

Хочешь всегда знать и никогда не пропускать лучшие новости о развитии России? У проекта «Сделано у нас» есть Телеграм-канал @sdelanounas_ru. Подпишись, и у тебя всегда будет повод для гордости за Россию.