Лого Сделано у нас

Компании Crocus и IBM будут производить в России компьютерную память MRAM


 Источник фото: mobile-review.com



Компания Crocus Technology, один из разработчиков магниторезистивной памяти, сегодня объявила о заключении соглашения о технологическом сотрудничестве и взаимном лицензировании патентов с компанией IBM. Патентное соглашение, предоставляющее взаимный доступ к патентам, позволит компаниям вести совместные разработки в области магнитной памяти, и использовать их результаты в своих полупроводниковых продуктах.

В рамках подписанного технологического соглашения Crocus и IBM смогут объединить преимущества технологии Crocus MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка) и разработок IBM в области магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

В мае этого года Роснано инвестировала в Crocus Technology 300 млн долларов, в обмен на строительство в России завода по производству чипов MRAM. На данном заводе Crocus и IBM будут выпускать совместную продукцию.

«Соглашение о совместной разработке и патентном лицензировании подтверждает долговременное стремление IBM к инновациям через сотрудничество, — заявил Уильям Галлахер, старший менеджер подразделения по квантовым вычислениям и магнитной памяти компании IBM. — Мы ожидаем плодотворного сотрудничества с Crocus в области развития передовых магнитных полупроводниковых технологий, которые могут увеличить функциональность и повысить производительность полупроводниковых продуктов».

Технология MLU, впервые представленная компанией Crocus в июне 2011 года, основана на архитектуре самоадресации. Она является развитием ранее разработанной Crocus технологии изменения состояния ячейки памяти с использованием локального нагрева (TAS — thermally assisted switching) и позволяет впервые реализовать средствами MRAM не только хранение, но и логическую обработку информации. Эти инновации расширяют рынок для магнитных технологий Crocus, открывая новые возможности для их использования в таких областях, как хранение данных с высокой плотностью, безопасная электронная коммерция, телекоммуникации, обработка данных в сетях высокой пропускной способности, а также высокотемпературная автомобильная и промышленная электроника.

Разработки IBM в области MRAM обладают преимуществами перед конкурирующими технологиями памяти — они отличаются низким потреблением энергии, высокой скоростью, неограниченным количеством циклов чтения и записи, а также энергонезависимостью — сохранением данных при отключении питания. Потенциал MRAM позволит создать компьютеры с мгновенной загрузкой и мобильные устройства с низким энергопотреблением.

  • 0
    Нет аватара elron
    06.10.1105:08:05
    неужели и у нас будет электроника для простых смертных, а не только для управления спутниками и ракетами ?!!!
    • 0
      Нет аватара Ituralde
      06.10.1105:57:38
      Если за дело взяться так же, как за автопром, то все возможно. Просто самим нашим компаниям даже при финансовой поддержке гос-ва (тоже кстати ограниченной) отвоевать рынок у 20-30-летних ветеранов типа Apple, Intel, AMD и других уже вряд ли получится.
      • 0
        Нет аватара elron
        06.10.1111:31:57
        вот именно что у других. Apple --- вообще не производит чего либо значимого а только штамп ставит.
        • 0
          Aleksey1992 Aleksey1992
          06.10.1111:33:14
          СЧтив Джопс вчера умер от рака так что боюсь век эпл скоро пройдет ибо он там все на себе тянул.
  • 0
    Ruslan Ruslan
    06.10.1110:50:25
    Обратил внимание: кто хорошо минусами по статьям прошёлся...
    • 0
      Нет аватара tdm
      06.10.1111:04:06
      Может, потому, что в статье описывается то, что сделано НЕ у нас (пока)?    
      • 0
        Ruslan Ruslan
        06.10.1111:47:02
        Ещё не начали, но уже решено, что производить будут.
        • 0
          rvk rvk
          06.10.1111:50:32
          Уже решено было что мы на луну летим а в 2000 году у нас будет термоядерный реактор вырабатывать электричество. Слова это только слова, пока они не матерелизовались в дела
          • 0
            Ruslan Ruslan
            06.10.1113:57:56
            Не утрируйте.    
    • 0
      rvk rvk
      06.10.1111:47:56
      Я минус поставил. Намеренья хорошие, но пока ничего не сделано в реальности
      • 0
        Ruslan Ruslan
        06.10.1111:52:48
        Ясно, я думал, Гарин тут заявился.    
      • 0
        nanonews nanonews
        06.10.1121:50:52
        но ведь оно и сидит в рубрике "будет сделано", нет?
        • 0
          rvk rvk
          06.10.1123:41:41
          ну и что     Это же не меняет новость. Лично мне, не как модератору, а как человеку, и пользователю сайта, таки новости не нравятся.
          • 0
            nanonews nanonews
            06.10.1123:46:45
            А мне как человеку и пользователю сайта - нравятся ). Потому плюсую ). Про планы тоже нужно говорить и перспективы нужно задавать ).
    • 0
      Нет аватара estotro
      06.10.1117:16:43
      От меня тоже минус, извиняйте. Путь от намерений до воплощения в железе долог и тернист, а еще даже проектная документация на завод не разработана. И, на мой взгляд, тэг "новое производство" не вполне уместен - у нас под ним, как правило, собираются открывшиеся предприятия - это помогает систематизировать информацию для ежемесячных обзоров по открытым производствам.
      • 0
        nanonews nanonews
        06.10.1121:52:32
        так может не минусовать новость, а попросить поменять рубрику? Особенно когда человек новый, еще не разобрался. А так сразу минусовать, смысл? По формальным признакам хорошее содержание выплескивается.
  • 0
    Nikolay Nikolay
    06.10.1114:30:08
    Российская фабрика Крокус Нано Электроникс (CNE) будет использовать технологию фирмы Крокус для создания первого в мире массового производства пластин магнитно-резестивной памяти для устройств MRAM с использованием 90 нанометрового и 65 нанометрового техпроцесса на 300 миллиметровых пластинах. Фабрика будет добавлять специальные слои MRAM к стандартным КМОП пластинам. Начало производства намечено на 2013 год, в объеме до 500 пластин в неделю. The Russia-based CNE facility will utilize Crocus' technology to create the first dedicated magnetic memory wafer fab in the world capable of high volume manufacturing of MRAM devices on 300mm wafers with 90nm and 65nm feature sizes. The factory will add MRAM specific processing layers to standard CMOS foundry wafers. The production facility is scheduled to be in operation in 2013 and will be capable of producing up to 500 wafers per week. Ссылка Отредактировано: Nikolay~14:30 06.10.2011
    • 0
      nanonews nanonews
      06.10.1121:47:52
      А я думаю, что к новостям в рубрике "будет сделано у нас" нужен другой критерий оценки - это же планы, значит и оценивать нужно планы - насколько мне нравится, что такое намереваются сделать, даже если просто декларируют, что хотят сделать. И по результатам можно будет понять, каковы ожидания, что вызывает интерес и что можно и нужно поддерживать, потому что оно востребовано. И тогда высокие или низкие оценки в этой рубрике будут означать, не как сейчас "верю или не верю, что вы это сделаете", а "хорошо, если сделаете" или "не нужно в это направление вкладываться, зря разбазаривать средства". Отредактировано: nanonews~21:50 06.10.2011
Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,