-
© tehnoomsk.ruВ «НИИ электронной техники» (АО «НИИЭТ», Воронеж) в 2023 году разработаны два новых отечественных СВЧ-транзистора по технологии LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor). Первый из них имеет обозначение КП9171А и уже тестируется в радиоэлектронном оборудовании, второй — КП9171БС. Оба транзистора предназначены для российской телевизионной аппаратуры стандартов цифрового вещания DVB-T/DVB-T2. Новые транзисторы по LDMOS-технологии обладают необходимыми характеристиками: так, КП9171А имеет коэффициент усиления по мощности — не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока — не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка — не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.
-
© niiet.ru07.04.2023
Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах.
Нитрид-галлиевая технология — одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Причина этого заложена в свойствах нитрида галлия, значительно превосходящего традиционный для полупроводниковой промышленности кремний по ряду ключевых параметров, таких как ширина запрещенной зоны, критическая напряженность поля и дрейфовая скорость насыщения электронов. Благодаря этому GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем кремниевые.
-
АО «Протон-Электротекс» (г. Орел) дополнительно инвестирует порядка 300 млн рублей в разработку и производство импортозамещающих силовых полупроводниковых IGBT-модулей, широко используемых в преобразовательной технике.
«К настоящему моменту компания инвестировала в направление данных IGBT-модулей порядка 250 млн рублей и до 2022 года планирует вложить еще около 300 млн рублей», — сообщили в компании.
С 2014 года предприятие проводит научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы по новой продукции — IGBT-модули. К настоящему моменту подготовлено современное производство и с 2016 года начат серийный выпуск нескольких линеек IGBT-модулей. Также, в разработке находятся еще четыре типа продукции и составлена дорожная карта по разработке и освоению производства новых модулей до 2022 года.
IGBT модули является «сердцем» любого современного мощного преобразователя энергии, которые применяются во многих отраслях промышленности, а именно в электроприводе, карьерной спецтехнике, электротранспорте, традиционной и «зеленой» энергетике.
«Все указанные отрасли в мире растут опережающими темпами. Однако, в настоящее время рынок РФ более чем на 95% насыщен IGBT модулями иностранного производства», — пояснили на предприятии.
-
-
Объединенная приборостроительная корпорация завершает испытания мощных электронных СВЧ-компонентов, которые заменят иностранные комплектующие в авиационном, космическом и военном оборудовании.
Сверхвысокочастотные транзисторы выполнены по современной нитрид-галлиевой технологии (GaN). Они обеспечивают высокую мощность, стойкость аппаратуры к космической радиации и другим внешним воздействиям, стабильную работу при температурах от -60 до +125 °С.
Кроме того, применение таких транзисторов в СВЧ-аппаратуре военного и двойного назначения позволяет заметно уменьшить массогабаритные характеристики изделий.
-
-
Российские учёные предложили новый тип транзистора на основе двухслойного графена и с помощью моделирования доказали, что он обладает рекордно низким энергопотреблением по сравнению с существующими аналогами.
В исследованиях принимали участие специалисты Московского физико-технического института (МФТИ) и Физико-технологического института РАН, а также их коллеги из университета Тохоку (Япония). Результаты работы приведены в журнале Scientific Reports.
-
-
Источник фото:
ТУСУР
ТОМСК, 17 ноя – Ученые Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали первый в мире нанотранзистор, применяемый в СВЧ-электронике, при производстве которого используются не драгоценные металлы, а соединение меди с германием, что значительно снижает себестоимость устройства, сообщил в четверг РИА Новости аспирант вуза ЕвгенийПЛЛ офеев
«В настоящее время транзисторы выпускаются с металлизацией на основе драгметаллов, а мы предлагаем использовать соединения меди с германием, которое получается оригинальным способом. В этом и новизна. Мы подали заявку на изобретение, получили положительное решение, была экспертиза, которая подтвердила, что мировых аналогов нашего нанотранзистора нет», – сказалПЛЛ офеев.
Он уточнил, что проект реализуется в научно-образовательном центре ТУСУР «Нанотехнологии». Ученый пояснил, что в настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются платина, палладий, золото. Отказ от драгоценных металлов не только снизит себестоимость производства транзисторов, но и повысит их технические характеристики.
