-
Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.
Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.