Впервые в России создан стенд проекционного нанолитографа с рабочей длиной волны 13,5 нм и расчетным разрешением 30 нм. Изображение наноструктуры с уменьшением 1:5 проецируется на фоторезисте с помощью двузеркального асферического объектива. Создание стенда свидетельствует о наличии в России ключевых технологий, позволяющих разрабатывать и производить литографическое оборудование, которое в ближайшие годы станет основным при производстве чипов с топологическими нормами 8-22 нм. 

Это уже старая новость от 2011 года, которую я неожиданно обнаружил благодаря пользователю с ником Техномагия НЛО. Спасибо ему за это!

Данная новость на сайте ИФМ РАН находится в разделе основных исследований и разработок готовых к практическому применению.

Проекционная литография экстремального ультрафиолетового излучения (EUVL), диапазон рабочих длин волн 13,5 нм ± 1%, является наиболее вероятным кандидатом для массового производства наноэлектроники следующего поколения с топологическими нормами 22-8 нм. Планируется начало ее промышленного использования с 2013–2015 года. Относясь к стратегическим технологиями, оборудование, компоненты оборудования и фоторезисты для этой литографии находится под экспортным контролем правительства США. В настоящее время в компаниях ASML (Нидерланды), Canon и Nikon (Япония) изготовлено несколько экспериментальных образцов проекционных установок. В ряде компаний, мировых лидеров микроэлектроники, начались экспериментальные исследования по разработке технологии EUV литографии.

В рамках программ РАН, грантов РФФИ и государственного контракта с РосАтом в ИФМ РАН впервые в России был создан стенд проекционного нанолитографа с рабочей длиной волны 13,5 нм с расчетным разрешением 30 нм. Изображение топологии наноструктуры с уменьшением 1:5 формируется в фоторезисте с помощью двузеркального асферического объектива. Размер засвечиваемой области на фотрезисте составляет 0,6×0,6 мм². С помощью двухкоординатной системы сканирования рисунок может мультиплицироваться на площади 5×5 мм². Разработан перспективный отечественный фоторезист, чувствительный в области 13,5 нм. Получены первые наноструктуры и начаты работы по оптимизации фоторезистов для области 13,5 нм.

Создание стенда продемонстрировало появление в России ключевых технологий, позволяющих разрабатывать и производить литографическое оборудование для диапазона длин волн в окрестности 13,5 нм. Данная разработка, в совокупности с другими отечественными разработками в области мощных газоразрядных источников экстремального ультрафиолетового излучения, может стать основой для отечественной программы производства компонентов наноэлектроники.

Кроме того, в 2012 году ИФМ РАН среди важнейших завершённых исследований указывает следующее.

Для создания стендов нанолитографии следующего поколения с пространственным разрешением до 8 нм предложены многослойные зеркала на основе La/B (La/B4C) для спектральной области вблизи 6.7 нм. Синтезированы La/B4C/C зеркала нормального падения со сверхтонкими углеродными барьерными слоями с рекордным коэффициентом отражения 58.6%, что позволяет начать разработку многозеркальных схем нанолитографов с рабочей длиной волны излучения 6.7 нм.