-
Специалисты Томского института сильноточной электроники СО РАН разработали уникальную установку, которая позволяет получать полупроводники и металлические материалы с качественно новыми свойствами для микроэлектроники. Установка создана для Польского ядерного центра.
У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две возможности – имплантации материалов многозарядными ионами и исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для получения полупроводниковых и металлических материалов с качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в области микроэлектроники и приборостроения.
Профессор Национального центра ядерных исследований Польши Збигнев Вернер отметил, что польская сторона уже имела успешный опыт сотрудничества с томскими коллегами.
-
( г. Йошкар-Ола.входит в холдинг «Росэлектроника» госкорпорации «Ростех» ) запустил на своем производстве новую линию литья керамической ленты, которые применяется при изготовлении корпусов для всех типов интегральных микросхем, используемых в отечественной электронике, в том числе военного назначения.
Технические возможности новой линии Завода полупроводниковых приборов позволят получать пленки толщиной менее 300 мкм, которые необходимы для разработки и освоения современных сложны корпусов для интегральных микросхем с числом выводов более 250 и шагом выводов менее 0,5 мм, а также миниатюрных безвыходных корпусов типа LCC.
Потребности рынка в таких изделиях постоянно растут и составляют на сегодняшний день в денежном выражении порядка 200 млн рублей для миниатюрных корпусов типа LCC и более 50 млн рублей для сложных многовыводных корпусов.
-
Ученые ИЯФ создали систему нагрева для термоядерного реактора
Сотрудники новосибирского Института ядерной физики (ИЯФ) СО РАН создали опытный образец инжектора для термоядерного реактора.Как рассказал замдиректора института Александр Иванов, сотрудники ИЯФа построили стенд для разработки мощных инжекторов нейтральных пучков, по сути это опытный образец системы нагрева плазмы для термоядерных реакторов. «Я бы сказал, что наш институт является мировым лидером в создании этих систем», — отметил г-н Иванов.
-
В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН разработали технологию получения фоточувствительного материала в виде пленочных структур твердых растворов соединения теллурида кадмия и ртути (КРТ), которые предназначены для производства инфракрасных прицелов и систем наблюдения нового поколения.
В Институте физики полупроводников научились получать КРТ в виде сложных пленочных структур толщиной от долей микрона до 10-15 микрон новым высоко технологичным методом молекулярно-лучевой эпитаксии - ориентированного роста одного кристалла на поверхности другого.
«Мы можем получать такие пленочные структуры со слоями различных составов КРТ, которые чувствительны к излучению в различных областях инфракрасного спектра. Это позволяет, в отличие от объемного материала, использовавшегося до сих пор, создать многоспектральные фотоприемники, получить гораздо более полную и достоверную информацию об интересующем объекте», - сообщил ИТАР-ТАСС руководитель группы разработчиков Сергей Дворецкий.
В результате конструкции инфракрасных устройств будут проще, в несколько раз уменьшатся их габариты, электропотребление и стоимость. Применение пленочных структур КРТ позволит разработать и производить широкий спектр инфракрасной техники, которой можно обеспечить практически каждого солдата, не говоря уж о самолетах, танках и другой технике.
Кроме того, одно из преимуществ таких структур перед объемными кристаллами заключается практически в 100-процентном использовании материала при изготовления инфракрасных приборов. В случае же объемных кристаллов КРТ только 1% ценного исходного сырья используется при изготовлении приборов, а остальные 99% уходят в отходы.
-
Технология ученых ТГУ стала основой проекта по организации серийного производства уникального оборудования: портативной рентгеновской аппаратуры нового типа
(Москва) приняло решение поддержать проект «Детекторы и рентгеновские аппараты: создание инновационного производства арсенид-галлиевых полупроводниковых детекторов цифрового цветового изображения и мобильных рентгеновских аппаратов нового поколения на их основе». Задачей проекта станет организация производства и вывод на мировой рынок наукоемкой конкурентоспособной продукции нового поколения в области цифровой радиографии, основанной на уникальных отечественных технологиях. Общая стоимость проекта – 880 млн. рублей.
- На мировом рынке сейчас 80% детекторов поставляет японская фирма «Хамамацу», и в них каждый квант регистрируется с помощью сцинтилляторов – то есть кванты поглощаются и преобразовываются в световой импульс, а уже фотоприемники преобразуют их дальше в импульсы тока. Но мы знаем, что свет распространяется во все стороны, поэтому у таких детекторов низкий КПД – всего 7-8%, - рассказывает автор проекта Олег Толбанов, профессор , руководитель Научно-образовательного центра «Физика и электроника сложных полупроводников». - Наши детекторы преобразовывают энергию каждого кванта в импульсы электрического тока, а затем специальными электронными чипами считают эти импульсы. В итоге эффективность сбора заряда (КПД) достигает 95%.
-
В Институте физики полупроводников (ИФП) СО РАН начались работы по изготовлению и испытанию пилотной установки для синтеза полупроводниковых наноструктур «Экран-М», которая разместится на борту МКС. Об этом сообщил в пятницу РИА Новости заместитель директора по научной работе института, руководитель этого проекта, профессор Олег Пчеляков.
Источник фото:
В полупроводниковой электронике используют кристаллические материалы, которые выращивают в условиях глубокого вакуума. От чистоты полупроводниковых материалов зависит однородность полученных кристаллов, которая дает возможность изменять и контролировать их проводящие свойства с помощью вносимых в дальнейшем примесей (легирования).
По словам Пчелякова, синтез качественных полупроводниковых материалов на Земле требует установок, которые стоят миллионы долларов и заметно уступают по чистоте вакуума естественному космическому пространству.
«Цель проекта — создание минифабрики для производства новых полупроводниковых материалов на орбите. Кильватерный след за прикрепленным к борту космического корабля молекулярным экраном — это область сверхглубокого вакуума и идеальная среда для роста полупроводниковых кристаллов, своеобразная вакуумная лаборатория. В нее не попадают даже отдельные молекулы разреженного газа, не говоря уже о кислороде и других элементах, отсутствие которых гарантирует качество растущей пленки полупроводника», — сказал Пчеляков. -
Источник фото:
РОСНАНО все привыкли ругать на чем свет стоит, заодно упоминая, что бюджеты утекают, а реальных результатов как не было, так и нет. Но есть российская наука, есть молодые компании, которые РОСНАНО поддерживает, и все это начинает приносить первые плоды. В этой статье мы расскажем о некоторых удачных вложениях и интересных российских проектах -
Разработка учёных Института физики полупроводников СО РАН позволит произвести настоящую революцию в медицинской диагностике и решить проблему дистанционного обнаружения опасных веществ.
Представьте: посредством специального биодатчика каждый человек по капле крови сможет контролировать наличие опасных патологий у себя в организме. Причём стоимость такого точнейшего анализа будет в разы дешевле, чем нынешние лабораторные исследования. Наличие этих простых в использовании инструментов сделает реальной существование персонализированной медицины, о которой так много говорят сегодня.
Подобные биосенсоры смогут работать и в газовой среде, распознавая молекулы вредных веществ в немыслимо низких концентрациях. Это ляжет в основу новых приборов, контролирующих состояние окружающей среды, или детекторов большинства видов взрывчатых веществ.
В роли таких детекторов (датчиков, сенсоров), действующих в биожидкостях и газах, будут выступать кремниевые нанопроволочные транзисторы. Работы по их созданию сегодня ведутся в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.
Источник фото:
-
Тепловизионный прибор «СВИТ», разработанный в Институте физики полупроводников, прошел процедуру европейской сертификации, осуществленную при посредничестве словацкой компании «Онкосет», сообщили в Центре общественных связей СО РАН.
В этом приборе все отечественное, за исключением электронных компонентов блока обработки сигналов. Например, чувствительная к инфракрасному(тепловому) излучению матрица и вакуумный криостат разработаны и изготавливаются в ИФП СО РАН, полупроводниковый материал (арсенид индия) – на Санкт-перебургском предприятии «Электрон». Специальная кремниевая схема, необходимая, чтобы вывести сигнал и способная работать при температуре жидкого азота, производится в Новосибирске, на НПП «Восток». Оптика так же изготавливается в Новосибирске.
По словам старшего научного сотрудника ИФП СО РАН Георгия Курышева, представители «Онкосет» вместе с врачами-практиками просмотрели ряд приборов и пришли к выводу, что именно «СВИТ» для них наиболее предпочтителен. «В числе отличительных особенностей нашего тепловизора – резкое, очень четкое изображение. Это обусловлено физикой чувствительных приемников, позволяющих регистрировать перепад температур от 0.007 градуса», – прокомментировал Георгий Леонидович.
